《半導體器件物理》博士生入學考試大綱
　　一、復習內(nèi)容及基本要求
　　1.半導體中載流子特性：晶體結構，能帶與能隙，載流子及熱平衡，載流子宏觀遷移。
　　2.p-n結形成;耗盡層，電流電壓特性，結擊穿，異質(zhì)結，傳輸過程與噪音。
　　3.雙極器件;靜態(tài)特性，微波特性，異質(zhì)結雙極晶體管。
　　4.MIS;電流傳輸過程，器件結構，歐姆接觸，勢壘高度，理想MIS電容。
　　5.MOS：基本器件特性;期間按比例縮小，短溝道效應，器件基本結構。
　　6.JFET原理與特性。
　　7.光電子器件(LED、太陽能電池)原理以及特性。
　　8.巨磁阻效應及其器件
　　9.考試的基本要求
　　要求考生有扎實的半導體物理，半導體器件，及微電子實驗基礎理論知識和技術基礎。掌握半導體器件系統(tǒng)的主要組成部分的基本原理，能夠綜合量子物理、半導體物理、器件物理的知識分析和解決問題。
　　二、建議參考
　　1.施敏編著 《現(xiàn)代半導體器件物理》第3版 西安交通大學出版社。
　　2.韓秀峰著 《自旋電子學導論》上卷 第一章 科學出版社。